Микросхемы статических ОЗУ

Микросхемы статических ОЗУ

Макротестирование позволяет выявить только совершенно неработоспособные микросхемы, а проведение полного тестирования сопряжено со значительным увеличением времени тестирования и ростом трудозатрат, не соответствующим равноценному улучшению качества проверки. Поэтому обычно используют для проверок микросхем ОЗУ статические функциональные тесты, основанные на методах с алгоритмической генерацией сигналов. В качестве параметров годности принимают уровни напряжений "0 " и "1", контролируемые в режиме.

Эффективность тестирования, когда оценку состояния БИС ОЗУ удается провести при минимальном времени проверки, достигают выбором алгоритмов функциональных тестов, составленных с учетом архитектуры, и топологических особенностей микросхем, а также исходя из реального взаимодействия элементов памяти и наиболее вероятных (чаще других встречающихся), а не гипотетически возможных видов функциональных отказов. Основными причинами таких отказов являются обрыв или замыкание линий, возрастание токов утечек между смежными элементами, возникновение паразитных связей. Эти дефекты приводят к отказам (чаще всего частичным) основных компонентов микросхем ОЗУ: дешифратора адреса, матрицы элементов памяти (ЭП), усилителей записи чтения, узла синхронизации и управления.


24.04.2018