Эффективность тестирования

Эффективность тестирования

Обрыв или замыкание шин дешифратора приводят к отсутствию выборки ЭП по какому-либо адресу, неоднозначности выборки (одновременной выборке нескольких ЭП по одному адресу), многоадресной выборке (выборке одного и того же ЭП по разным адресам). Обрыв линий в матрице ЭП приводит к записи "0" или "1" в какие-либо ЭП, большие токи утечки между ЭП - к ложному считыванию (ошибки в считывании при определенных комбинациях в других ячейках), замыкание линий в матрице ЭП или паразитные связи - к ложной записи (занесение информации в данный ЭП при записи в соседние ячейки памяти).

Наиболее простые (минимальные) функциональные тесты должны обеспечить проверку существования каждого структурного ЭП, связей между элементами, правильность режимов работы при записи и чтении данных.

Рассмотрим несколько видов тестов микросхем ОЗУ применительно к БИС памяти, представляющим повышенный интерес для аппаратуры измерения ионизирующих излучений (например, БИС К537РУ8 с организацией 2Кх8 или КР538РУ17 с организацией 8Кх8). Простейшим тестом является последовательная запись в микросхему и считывание из нее чисел 00 и для одноразрядных БИС ОЗУ используют запись 0(1) и затем их последовательное чтение.


21.04.2018